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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.3
- 수록면
- 311 - 320 (10page)
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본 논문에서는 종래의 접지된 능동 인덕터 구조와 궤환 가변 LC-공진기를 이용한 새로운 가변 능동 인덕터를 제안하였다. 접지된 능동 인덕터는 자이레이터-C 구조로 구현되며, 가변 LC-공진기는 낮은 Q 지수를 갖는 나선 인덕터와 바렉터로 이루어진다. 가변 LC-공진기는 트랜지스터의 기생 커패시턴스에 의한 Q 지수의 감소를 보상하며, LC-공진기의 공진 주파수 조절에 의해 높은 Q 지수를 갖는 주파수 대역을 가변할 수 있다. 매그나칩 0.18 ㎛ 공정을 이용하여 제작된 가변 능동 인덕터는 4.66～5.45 ㎓ 대역에서 바랙터 제어 전압 조정에 의해 높은 Q 지수를 갖는 주파수를 조정할 수 있으며, 동작 대역에서 50 이상의 Q 지수를 제공한다. 또한, 바렉터 제어전압 조정으로 5.1 ㎓에서 4.12～5.97 nH의 가변 인덕턴스 값을 얻을 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 능동 인덕터의 이론적 배경
Ⅲ. 가변 능동 인덕터의 설계
Ⅳ. 측정 및 결과 분석
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - A. Zolfaghari / 2001 / Stacked inductors and transformers in CMOS technology / IEEE Journal of Solid-State Circuit 36 (4)
2. [학술대회논문] - Daniel C. Edelstein / 1998 / Spiral and solenoidal inductor structures on silicon using Cu-damascene interconnects / IEEE Interconnect Technology Conference : 18 ~ 20
3. [학술지(정기간행물)] - C. Patrick Yue / 1998 / On-chip spiral inductors with patterned ground shields for Si-based RF ICs / IEEE Journal of Solid-State Circuit 33, (5,)
4. [학술지(정기간행물)] - Ali M. Niknejad / 1998 / Analysis, design, and optimization of spiral inductors and trans- formers for Si RF IC's / IEEE Journal of Solid- State Circuit 33 (10,)
5. [학술대회논문] - Apinunt Thanachayanont / 2002 / CMOS transistor only active inductor for IF/RF applications / IEEE International Conference on Industrial Technology : 11 ~ 14
2. [학술대회논문] - Daniel C. Edelstein / 1998 / Spiral and solenoidal inductor structures on silicon using Cu-damascene interconnects / IEEE Interconnect Technology Conference : 18 ~ 20
3. [학술지(정기간행물)] - C. Patrick Yue / 1998 / On-chip spiral inductors with patterned ground shields for Si-based RF ICs / IEEE Journal of Solid-State Circuit 33, (5,)
4. [학술지(정기간행물)] - Ali M. Niknejad / 1998 / Analysis, design, and optimization of spiral inductors and trans- formers for Si RF IC's / IEEE Journal of Solid- State Circuit 33 (10,)
5. [학술대회논문] - Apinunt Thanachayanont / 2002 / CMOS transistor only active inductor for IF/RF applications / IEEE International Conference on Industrial Technology : 11 ~ 14
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