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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.2
- 수록면
- 125 - 129 (5page)
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본 논문에서는 Q값(Q-factor)을 증가시킬 수 있는 저전압 능동(active) CMOS 인덕터를 제안하고 설계하였다. Q값을 증가시키기 위한 방법으로 저전압 능동 CMOS 인덕터에 피드백 저항을 삽입하여 등가적인 인덕턴스와 Q값을 증가시켰다. 저전압능동 CMOS 인덕터는 0.18um 표준 CMOS 공정으로 설계하였으며 모의실험은 애질런트사의 ADS 시뮬레이터를 이용하였다. 모의 실험결과 설계된 피드백 저항을 삽입한 저전압 능동 CMOS 인덕터는 4GHz에서 1.5nH의 인덕턴스와 최대 3000이상의 Q값을 가졌고 소비전력은 5.4mW였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 능동 인덕터 회로 설계
Ⅲ. 모의실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
J. N. Burghartz , 1996 , Multilevel-spiral inductors using VLSI interconnect technology , IEEE lectron Device Lett 17 : 428 ~ 430
M. Park , 1997 , High Q CMOS compatible microwave inductors using double-metal interconnection silicon technology , IEEE Microwave Guided Wave Lett 7 : 45 ~ 47
P. Q. Chen , 2000 , Improved microwave performance on low-resistivity Si substrates by Si ion implantation , IEEE Trans. Microwave Theory Tech 48 : 1582 ~ 1585
Hara, S. , 1988 , Broadband monolithic microwave active inductor and its application to wideband amplifiers , IEEE Trans. MTT 36 : 1920 ~ 1924
Kaunisto, R. , 1995 , Active inductors for GaAs and bipolar technologies , Analog Integ. Circuits Signal Process 1 : 35 ~ 48
M. Park , 1997 , High Q CMOS compatible microwave inductors using double-metal interconnection silicon technology , IEEE Microwave Guided Wave Lett 7 : 45 ~ 47
P. Q. Chen , 2000 , Improved microwave performance on low-resistivity Si substrates by Si ion implantation , IEEE Trans. Microwave Theory Tech 48 : 1582 ~ 1585
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