3D MEMS 소자에 적합한 열적 응력을 고려한 수직 접속 구조의 설계

정진우; 김현철; 전국진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정진우 김현철 전국진

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編第45卷第2號

발행연도: 2008.2

수록면: 112 - 117 (6page)

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3D MEMS 소자 또는 적층형 패키지에 응용하기 위해서 실리콘 관통 비아를 이용한 새로운 수직 접속 방법을 제안하고 그 실효성을 증명하기 위해 제작하였다. 제안된 실리콘 관통 비아는 기존의 관통 비아에서 도전 물질로 사용되던 구리대신 실리콘을 적용하였다. 그 결과 열팽창 계수 차이에 의한 열응력 줄일 수 있어 높은 온도에서 이루어지는 MEMS 공정과 병행 가능하게 되었다. 30μm 두께의 실리콘 기판 2층이 적층되었으며 40μm와 50μm의 간격을 가지는 관통 비아 배열을 제작하였다. 관통 비아의 전기적 특성을 측정하고 분석하였다. 측정된 저항 값은 169.9Ω이었다.

#3D MEMS #through-via #vertical interconnect #stacked package

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Silke H. Christiansen , 2006 , Wafer Direct Bonding: From Advanced Substrate Engineering to Future Applications in Micro, Nano electronics , Proceedings of the IEEE 94 (Issue12) : 2060 ~ 2106

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