상변화 박막의 두께에 따른 상변화 메모리의 전류 및 열 특성

최홍규; 장낙원; 김홍승; 이성환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최홍규 장낙원 김홍승 이성환

저널정보: 한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제32권 제1호

발행연도: 2008.1

수록면: 162 - 168 (7page)

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In this paper, we analyzed the heat transfer phenomenon and the reset current variation of PRAM device with thickness of phase change material using the 3-D finite element analysis tool. From the simulation, Joule's heat was generated at the contact surface of phase change material and bottom electrode of PRAM. As the thickness of phase change material was decreased, the reset current was highly increased. In case thickness of phase change material thin film was 200 Å, heat increased through top electrode and reset current caused by phase transition highly increased. And as thermal conductivity of top electrode decreased, temperature of unit memory cell was increased.

#Phase change random access memory(상변화 메모리) #Finite element analysis(유한요소법) #Top electrode(상부전극) #Reset current(지우기 전류) #Thermal conductivity(열전도도)

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N.W.JANG , 2001 , Effects of UV Process on High Density 1T1C FRAM Device , Integrated Ferroelectrics 39 : 51 ~ 59

S.Lai , 2001 , OUM - A 180nm nonvolatile memory cell element tech- nology for stand alone and embedded applications , IEEE IEDM Tech. Dig : 803 ~

S.H.Lee , 2004 , Integra- tion and Cell Characteristics for 64Mb non-volatile PRAM , IEEE Symposium on VLSI Tech. Dig. : 20 ~ 21

S.Y. Lee , 2006 , Polycrystalline silicon- germanium heating layer for phase- change memory application , Applied physic letter 89 : 053517-1 ~ 053517-3

N.Yamada , 1991 , Rapid-Phase Transi- tions of GeTe-Sb2Te3 Pseudobinary Amorphous Thin Films for an Optical Disk Memory , J.Appl.Phys 69 (5) : 2849 ~

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