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한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제33권 제1호
발행연도
2009.1
수록면
131 - 137 (7page)

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In this paper, we have manufactured hole type PRAM unit cell using phase change material Ge₂Sb₂Te?. The phase change material Ge₂Sb₂Te? was deposited on hole of 500 ㎚ size using sputtering method. Reset current of PRAM unit cell was confirmed by measuring R-V characteristic curve. Reset current of manufactured hole type PRAM unit cell is 15 mA, 100 ns. And electro and thermal characteristics of hole type PRAM unit cell were analyzed by 3-D finite element analysis. From simulation temperature of PRAM unit cell was 705℃.
#Phase change material(상변화재료) #Phase change random access memory(상변화메모리) #Thermal transmission(열전달) #Finite element analysis(유한요소법) #Reset current(지우기 전류)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개

참고문헌 (6)

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1. [학술지(정기간행물)] - S.Ovshinsky / 1968 / Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures / Phys. Rev. Lett. 21 (20) : 1450 ~ google schola 2. [학술대회논문] - S.H.Lee / 2004 / Full Integration and Cell Characteristics for 64Mb non-volatile PRAM / IEEE Symposium on VLSI Tech. Dig : 20 ~ 21 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S.Y. Lee / 2006 / Polycrystalline silicon- germanium heating layer for phase-change memory application / Applied Physic Letter 89 : 053517-1-3 ~ google schola 4. [학술대회논문] - Y.H.Ha / 2003 / An Edge Contact Type Cell for Phase Change RAM Featuring Very Low Power Consumption / IEEE Symposium on VLSI Tech. Dig. : 175 ~ 176 google schola 5. [학술대회논문] - Y.N.Hwang / 2003 / Writing current reduction for high-density phase change RAM / IEDM 03 : 893 ~ 896 google schola

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