지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.6
- 수록면
- 329 - 332 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
In this paper, we comment PRAM being in the spotlight as next generation memory. The present 3D memory architecture faces many difficulties. To solve this problem, we propose 3D memory structure de positing phase-change material on the contact area in a new way. And in proposed structure, We simulate PRAM changing phase-change material contact area by using the Sentaurus tool. From this simulation result, We find new method of decreasing current density.
목차
Abstract
I. 서론
II. 측면 접촉 면적을 이용한 3차원 상변화 메모리 구조 제안
Ⅲ. 제안된 구조에서의 접촉 면적에 따른 Set과 Reset의 모의실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
측면 상변화 접촉면적을 이용한 3차원 상변화 메모리 구조에 관한 연구
유호천
,
양형준
,
송윤흡
대한전자공학회 학술대회
2013
.07
상변화 물질의 알려지지 않은 특성 발견
김태권
기계저널
2012
.06
상변화 메모리(PCRAM)에서의 CMP 공정 개발 현황
황응림
,
김민석
,
이용석
외 4명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2011
.11
상변화메모리 응용을 위한 첨가량에 따른 Sb Ge₁Se₁Te₂의 상변화 특성 연구
김현구
,
최혁
,
남기현
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2008
.02
상변화 메모리 응용을 위한 Ge₁Se₁Te₂ 비정질 칼코게나이드 박막의 전도 특성
최혁
,
김현구
,
조원주
외 1명
대한전기학회 학술대회 논문집
2006
.10
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001693152