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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第4號
발행연도
2007.4
수록면
91 - 96 (6page)

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사파이어 기반의 GaN LED의 광추출 효율을 시뮬레이션을 이용하여 정량적으로 평가하였다. 각각의 LED는 ray-tracing 시뮬레이션을 이용하여 광추출 효율을 계산하였다. 본 연구에는 PSS(patterned sapphire substrate) LED와 flat LED의 비교 분석을 통하여, LED에서의 사파이어 기판의 패턴이 광추출에 미치는 영향을 설명하였다. 또한, 각각의 칩에서 반사막의 반사도가 광추출에 미치는 영향을 분석하고, 그 원인을 시뮬레이션을 이용하여 설명하였다. 한편, 사파이어 패턴에 의한 광추출효율의 변화 효과를 공기(air)와 실리콘(silicone) 분위기에서 시뮬레이션을 수행하였다. 이러한 시뮬레이션 기술을 통해 광추출 효율의 개선 정도를 정량적으로 평가할 수 있었으며, 이러한 연구가 향후 고효율 LED 개발에 도움을 줄 것으로 판단된다.
#LED #GaN #extraction efficiency #patterned sapphire substrate

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

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1. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / light-emitting diodes google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / Increase in the extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes via surface roughening 84 (6) google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Light- emitting diodes with 31% external quantum efficiency by outcoupling of lateral waveguide modes 74 (16) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / High extracton efficiency InGaN micro-ring light-emitting diodes 83 (22) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2004 / High-exttraction efficiency blue light-emitting diode using extended-pitch photonic crystal 43 (8B) google schola

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