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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.3
- 수록면
- 1 - 5 (5page)
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SiOC 박막은 산소와 bistrimethylsilylmethane 전구체를 사용하여 CVD방법을 이용하여 만들었다. 유량비에 따라서 유기물, 하이브리드 그리고 무기물 특성의 3가지 특성으로 분류되어지는데 유기물의 특성을 지니는 박막에서 기공이 생성되었다. 기공의 생성은 유전상수가 낮아지는 효과가 있으며, 본 연구에서는 기공이 형성되는 유기물 특성의 SiOC 박막내의 기공율을 Maxwell-Garnett 등식을 이용하여 계산하였다. 박막의 기공율은 IR분포에서 blue shift특성을 가지며, 기공율이 증가할수록 유전상수는 감소하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Pendant benzene in hydrogenated diamond-link carbon 55 (14) : 1388 ~ 1390
2. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / Characterizaion of low-dielectric-constant SiOC thin films deposited by PECVD for interlayer dielectrics of multilevel interconnection 171 : 39 ~ 45
3. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Silicon carbide and silicon carbide -based structures 48 : 1 ~ 5
4. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SIOCH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization 94 : 6697 ~ 6707
5. [학술지(정기간행물)] - / 2001 / Formation and caracteristic of fluorinated amorphous carbon films deposited by CF4/CH4 ICPCVD 39 (2) : 291 ~ 295
2. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / Characterizaion of low-dielectric-constant SiOC thin films deposited by PECVD for interlayer dielectrics of multilevel interconnection 171 : 39 ~ 45
3. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Silicon carbide and silicon carbide -based structures 48 : 1 ~ 5
4. [학술지(정기간행물)] - / 2003 / Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SIOCH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization 94 : 6697 ~ 6707
5. [학술지(정기간행물)] - / 2001 / Formation and caracteristic of fluorinated amorphous carbon films deposited by CF4/CH4 ICPCVD 39 (2) : 291 ~ 295
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