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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 653 - 656 (4page)
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SiOC films made by the inductive coupled plasma chemical vapor deposition were analyzed by photo luminance spectra and X-ray diffraction. SiOC film was observed the red shift by PL spectra because of the effect of electron delocalization. Moreover, the film’s thickness was dramatically decreased at SiOC film with the blue shift because the reduction of the thickness was influenced by complete dissociation and the recombination of precursor. The refractive index was in inverse proportion to the thickness of SiOC film, and the sample with low thickness displayed the peaks at 33 degree which was split two bonds in X-ray diffractometer. Especially, the peak’s intensity at 33degree in X-ray diffractometer dramatically increased at sample with the lowest dielectric constant as the high degree of amorphous structure.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References
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