메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
류장렬 (공주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 Proceedings of KIIT Conference 2006년도 하계종합학술발표논문집
발행연도
2006.6
수록면
31 - 37 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
차세대 집적회로에 사용될 트랜지스터는 그 채널길이가 Nano급의 규모로 축소되어 제작되어야 하는데, 최근 이 Nano 소자는 반도체 내의 2차원적인 전자층을 집속이온빔(FIB) 시스템에 의한 수 십 ㎚의 폭을 갖는 절연선의 직접 묘화 방식으로 Gate, Source 및 Drain 영역이 하나의 평면 위에 정의되는 IPG 방식의 트랜지스터가 다양한 구조로 연구되고 있다. 본 논문에서는 SOI웨이퍼 표면 층에 정의될 IPG 트랜지스터의 패턴설계, 실리콘 표면의 반응성 이온 식각(RIE), Source/Drain 영역의 도전성 채널로 이용될 2차원적인 전자층을 위한 인(P)의 열적 도핑, FIB 시스템에 의한 Ga+이온의 Scan 특성 등 IPG 트랜지스터 제작을 위한 여러 가지 공정을 고찰하였다. IPG 트랜지스터의 형상, 실리콘 두께에 따른 종횡비, 이온 주입량에 따른 특성, 열처리조건 등의 결과를 얻었다.
#Directly writing #IPG #FIB #RIE #Electron layer

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 동일평면트랜지스터
참고문헌
저자소개

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-566-016510185