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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제11호
발행연도
2003.11
수록면
45 - 53 (9page)

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DRAM에서 사용되는 내부 승압 전원 전압과 기판인가 전원 전압 발생기를 공유함으로써 단일 Charge Pump에서 승압 전원과 기판 전원을 동시에 발생시키는 회로를 설계하였다. 이 회로는 0.14um의 DRAM 공정을 사용하여 기존 보다 전력 소모를 30%, 전체 면적을 40% 그리고 Pumping capacitor 면적을 29.6% 각각 감소하였으며 또한 전류 공급 효율을 13.2% 향상 시켰다. Charge Recycling 기법을 적용하여 Pumping capacitor의 Precharge 구간 동안 소모 되는 전류를 75% 감소 하였다.

목차

요 약

Abstract

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. DRAM에 있어서 내부 전원 전압

Ⅲ. 제안하는 Unified Voltage Generator

Ⅳ. Simulation 결과 및 분석

Ⅴ. 결 론

참 고 문 헌

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