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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2002 창립25주년 국제심포지움
발행연도
2002.11
수록면
193 - 198 (6page)

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The aim of the present work is to optimize the annealing parameter for both front and back screen printed contacts on p-type as well as on the n+layer of phosphorus diffused of p-type multicrystalline silicon wafer. The RTA treatments were carried out at various temperatures from 600 to 850℃ and annealing time ranging from 3min to 5min in air, O2 and N2 ambiance. The contacts parameters are obtained according to Transmission Line Model measurements. A good RTA cycle has been obtained with a temperature range of 700℃-750℃.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experimental

3. Result and Discussion

4. Conclusion

5. Acknowledgement

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