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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.11
- 수록면
- 125 - 129 (5page)
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Tandem junction solar cells offer higher energy conversion efficiencies than single junction solar cells. In two terminals monolithic tandem solar cells, tunnel diode is an important variable to improve conversion efficiency depending on current matching between the top and the bottom cells. A double hetero GaAs tunnel diode, which consists of GaAs tunnel junction sandwiched between Gal-xAlxAs layer and GaAs layer has been grown by MOCVD. The top layer acts as a window layer for the underlying Gal-xAlxAs cell. Under this cell is two heavily doped layers having several functions. These act as a back surface field for the top cell and a front surface field for the lower cell. The width of the depletion region at their junction is very thin and electrons can flow between the conduction and valance band at this junction by quantum mechanical tunneling process. This region consequently acts as the series connection between the cells, as well as an optical window for the underlying GaAs. Especially, the GaAs/GaAs tandem is one of the most interesting cells for its high potential efficiency. This paper shows that physical analysis of the I-V specific character of the GaAs/Ge solar cell, which is grown by MOCVD for GaAs, using computer simulation and experimental results, vary with the width of the tunnel diode layer and concentration.
목차
Abstract
1. 서론
2. Tunnel diode
3. Conclusion
4. Reference
참고문헌 (0)
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