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장파장영역의 적외선 검출을 위해 구속-비구속 상태간 전이를 이용한 GaAs/AlGaAs 이종접합 다중양자우물구조형태 검출기를 제작하여 전기적, 광학적 특성을 살펴보았다. 시료는 MBE를 이용하여 SI-GaAs(100) 기판 위에 장벽 500 Å, 폭 40 Å의 양자우물구조를 25층 성장시켰으며, Al의 몰분율은 0.28로 하였고 우물의 중심부 20 Å은 2×10^(18)㎝-³의 농도로 Si n-도핑을 하였다. 200×200 ㎛² 면적의 사각형 화소가 되도록 시료를 식각한 후 Au/Ge로 전극을 붙여 1×8 검출기 배열을 제작하였다. 10K의 온도에서 적외선 광원에 대한 광특성을 조사한 결과 1차원으로 배열한 8개의 단일소자 모두 7.8 ㎛파장에서 최대반응을 보였으며 검출률(D*)은 최대 4.9×10^9 ㎝ √㎐/W이었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작 및 측정
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
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