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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제3회 학술발표회논문개요집
발행연도
1992.7
수록면
55 - 56 (2page)

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J-E characteristics with annealing effect of Ta₂O_5 films have been studied for the application of high density DRAM devices. Tantalum pentoxide thin films were deposited by PECVD and annealed by various temperatures. The leakage current decreases in O₂ ambients hut increase in N₂ ambients with increasing annealing temperature, which can be explained by the gro ... 전체 초록 보기

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental

Ⅲ. Results and Discussions

Ⅳ. Conclusion

RERERENCES

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