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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제8호
발행연도
2005.8
수록면
53 - 60 (8page)

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최근 낮은 기가비트급 광통신 집적회로의 구현에 sub-micron CMOS 공정이 적용되고 있다. 본 논문에서는 표준 0.35mm CMOS 공정을 이용하여 4채널 3.125Gb/s 차동 전치증폭기 어레이를 구현하였다. 설계한 각 채널의 전치증폭기는 차동구조로 regulated cascode (RGC) 설계 기법을 이용하였고, 액티브 인덕터를 이용한 인덕티브 피킹 기술을 이용하여 대역폭 확장을 하였다. Post-layout 시뮬레이션 결과, 각 채널 당 59.3㏈W의 트랜스임피던스 이득, 0.5pF 기생 포토다이오드 캐패시턴스에 대해 2.45㎓의 -3㏈ 대역폭, 그리고 18.4㎀/sqrt(㎐)의 평균 노이즈 전류 스펙트럼 밀도를 보였다. 전치증폭기 어레이의 공급전원은 단일전압 3.3V 이고, 전력소모는 92㎽이다. 이는 4채널 RGC 전치증폭기 어레이가 저전력, 초고속 광인터컨넥트 분야에 적합함을 보여준다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 광통신 시스템

Ⅲ. 전치 증폭기 회로

Ⅳ. 결론

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