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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.6
- 수록면
- 1 - 7 (7page)
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CMOS 소자의 높은 주파수 특성의 증가로 인하여 높은 주파수 범위에서의 RF와 아날로그 회로 설계가 가능하게 되었다. RF와 아날로그 회로 설계는 실수와 허수의 쌍인 S-파라미터의 특성 분석으로 가능하다. 높은 성능을 활용한 CMOS 기술들은 신뢰도와 밀접한 관계가 있으며, 소자의 열화로 인한 S-파라미터의 변화가 소신호 모델 파라미터들에 미치는 영향을 정확하게 분석하는데 매우 중요하다. S-파라미터의 열화로 인한 다양한 물리적인 현상들 특히 트랜스컨덕턴스와 게이트 커패시턴스의 성능 저하를 자세히 분석하였다. 측정에 사용된 H-gate와 T-gate 소자의 S-파라미터를 0.5㎓에서 40㎓ 주파수 범위에서 측정하였으며, 소자의 모든 내부와 외부 파라미터들은 포화영역인 하나의 전압 조건에서 추출하였다. 이 논문은 게이트 구조가 다른 소자에 스트레스를 인가하여 소신호 등가 모델을 추출하였으며, 파라미터들의 변화를 비교 분석한 것이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자의 제작 및 특성
Ⅲ. 패드 및 금속 배선 성분의 de-embedding
Ⅳ. 모델 파라미터 추출
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - N. Camilleri / 1993 / the microwave device technology for the 90s : 545 ~ 548
2. [학술지(정기간행물)] - Jean-Pierre Raskin / 1998 / Accurate SOI MOSFET Characteri- zation at Microwave Frequencys for Device Performance Optimization and Analog Modeling 45 : 1017 ~ 1025
3. [학술지(정기간행물)] - Byung-Jin Lee / 2005 / Comparison of Hot Carrier-Induced RF Performance Degradation in H-Gate and T-Gate SOI MOSFETs 26 : 112 ~ 114
4. [학술지(정기간행물)] - V / 2004 / Floating effective back-gate effect on the small-signal output conductance of SOI MOSFETs 24 : 414 ~ 416
5. [학술지(정기간행물)] - A. Neugroschel / 1987. / Measurement of the low-current base and emitter resistance of bipolar transitors 34 : 817 ~ 822
2. [학술지(정기간행물)] - Jean-Pierre Raskin / 1998 / Accurate SOI MOSFET Characteri- zation at Microwave Frequencys for Device Performance Optimization and Analog Modeling 45 : 1017 ~ 1025
3. [학술지(정기간행물)] - Byung-Jin Lee / 2005 / Comparison of Hot Carrier-Induced RF Performance Degradation in H-Gate and T-Gate SOI MOSFETs 26 : 112 ~ 114
4. [학술지(정기간행물)] - V / 2004 / Floating effective back-gate effect on the small-signal output conductance of SOI MOSFETs 24 : 414 ~ 416
5. [학술지(정기간행물)] - A. Neugroschel / 1987. / Measurement of the low-current base and emitter resistance of bipolar transitors 34 : 817 ~ 822
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