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학술저널
저자정보
최민권 (한국외국어대학교) 김주영 (한국외국어대학교) 이성현 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第49卷 SD編 第2號
발행연도
2012.2
수록면
9 - 14 (6page)

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본 연구에서는 common source-bulk와 common source-gate 테스트 구조에서 측정된 S-파라미터를 사용하여 multi-finger RF MOSFET의 기판 파라미터들을 정확하게 추출하였다. 이 추출 방법을 바탕으로 세 개의 기판저항을 사용한 비대칭 RF 모델이 하나의 기판저항을 사용한 단순 모델보다 측정된 Y-파라미터 데이터와 더 잘 일치하는 것을 관찰하였으며, 이는 비대칭 기판 모델의 정확도를 증명한다. 또한 비대칭 RF 모델의 시뮬레이션 S-파라미터가 측정 데이터와 20GHz까지 잘 일치하는 것을 확인하였다.
#RF CMOS #MOSFET #multi-finger #substrate model #substrate resistance. parameter extraction

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - 차지용 / 2008 / RF MOSFET 성능의 최 화를 한 Unit Finger Gate 폭에 한 fT fmax 종속성 분석 / 전자공학회 논문지 45 (9) : 861 ~ 866 google schola 2. [기타자료] - / 1995 / BSIM3v3 Manual, Department of Electrical Engineering and Computer Science / University of california, Berkeley google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2001 / A small-signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 48 : 1374 ~ 1379 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 이용택 / 2004 / Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출 / 전자공학회논문지 - SD 41 (12) : 1121 ~ 1128 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 이성현 / 200804 / A direct method to extract RF MOSFET model parameters using common source-gate and source-drain configurations / MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 50 (4) : 915 ~ 917 google schola

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