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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
한세환 (충북대학교) 유영갑 (충북대학교) 조태원 (유비콤)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第11號
발행연도
2010.11
수록면
23 - 29 (7page)

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메모리칩의 제조 과정에서 발생하는 불량 칩 중 한 두개 비트의 결함이 있는 여러 개의 칩들을 모아서 정상 동작하는 메모리 시스템을 구성하는 방법을 제시한다. 여기에서 제시하는 메모리 시스템은 여러 개의 결함 있는 메모리칩을 겹쳐 쌓은 3차원 다층 구조를 가진다. 이들 칩 간의 신호 선은 through silicon via (TSV)를 통하여 연결한다. 각 칩의 결함이 있는 메모리 셀이 포함된 구역이 칩 마다 서로 다르도록 칩을 분류하여 선택한다. 이 메모리들의 결함이 없는 셀 구역만을 모아 조합하여 전체가 결함이 없는 메모리 시스템이 되도록 한다. 독립적인 주소지정 가능한 n 개의 storage block을 가진 메모리 각각에 k 개의 결함 있는 storage block이 있는 경우 k+1 개의 여유 칩이 조합되어야 한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 메모리의 겹쳐 쌓기와 결함 극복
Ⅲ. 결함 있는 메모리만을 사용하는 시스템
Ⅳ. 여분 메모리칩의 수
Ⅴ. 결론
감사의 글
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