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대한기계학회 대한기계학회 논문집 A권 대한기계학회논문집 A권 제27권 제8호
발행연도
2003.8
수록면
1,309 - 1,316 (8page)

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The general dicing process cuts a semiconductor wafer to lengthwise and crosswise direction by using a rotating circular diamond blade. But products with inferior quality are produced under the influence of several parameters in dicing process such as blade, wafer, cutting water and cutting conditions. Moreover we can not apply this dicing method to GaN wafer, because the GaN wafer is harder than the other wafer such as Si02, GaAs, GaAsP, and AIGaAs. In order to overcome this problem, development of a new dicing process and determination of dicing parameters are necessary. This paper describes a new wafer dicing method using fixed diamond scriber and precision servo mechanism and determination of several parameters - scribing depth, scribing force, scriber inclined angle, scribing speed, and factor for scriber replacement - for a new dicing machine using scriber.

목차

Abstract

1.서론

2.기존의 웨이퍼 다이싱 방법

3.스크라이빙 머신

4.스크라이빙 파라메터 결정 실험

5.결론

후기

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