집적회로의 다층 금속 배선에서의 혼신 특성 해석에 관한 연구

김연태; 최익준; 권오섭; 원태영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김연태 최익준 권오섭 원태영

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제4호

발행연도: 2004.4

수록면: 317 - 327 (11page)

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본 논문에서는 유한 차분 시간 영역(FDTD, Finite Differential Time Domain)법과 완전 정합층(PML, Perfectly Matched Layer) 방법을 이용하여 반도체 다층 배선이 평행하게 인접하거나, 교차하면서 인접하는 구조뿐 아니라, 평행하게 인접하면서 다른 평면 상에 두 배선이 존재하는 3차원 다층 배선 구조에 대한 컴퓨터 수치 분석 방법을 보고한다. 평행한 인접 배선 구조에서는 수평 거리를 변화시키면서 출력 결과를 비교하였으며, 교차한 인접 배선 구조에서는 수직 거리를 변수로 하여 시간 영역과 주파수 영역에서의 출력 결과를 정량적으로 비교하였다. 또한, 평행하게 인접하면서 다른 평면상에 두 배선이 존재하는 3차원 다층 배선 구조에 대해서는 수평 거리와 수직 거리를 각각 변화시켜 가면서 출력되는 누화 특성을 측정하고 비교하였다.

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[학술지(정기간행물)] - R. Sabelka / 2000. / The State of the Art in Interconnect Simula tion : 6 ~ 11

[학술지(정기간행물)] - U. Choundhury, / 1995. / Automatic Generation of Analytical Models for Interconnect Capacitances 14 (4) : 470 ~ 480

[학술지(정기간행물)] - M. W. Beattie / 1997. / Bounds for BEM Capacitance Extraction : 133 ~ 136

[학술지(정기간행물)] - K. L. Shepard / 2000. / Return-Limited Inductances: A Practical Approach to On-Chip Inductance Extraction 19 (4) : 425 ~ 436

[학술지(정기간행물)] - C.-P. Chen / 2000. / Generalized FDTD-ADI: An Uncon ditionally Stable Full-wave Maxwell's Equations Solver for VLSI interconnect Modeling : 156 ~ 164

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