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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제10호
발행연도
2002.10
수록면
16 - 24 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

ITO 에미터 전극을 갖는 InP/InGaAs HPT의 DC 특성
강민수 ,  한교용 전자공학회논문지-SD 2002.10 학술저널

2001

광학적 투명성을 가진 ITO를 에미터 전극으로 사용한 InP/InGaAs HPT's의 DC 특성 분석
강민수 ,  한교용 대한전자공학회 학술대회 2001.06 학술대회자료

초록· 키워드

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본 논문에서는 광학적으로 투명한 ITO를 에미터 전극을 갖는 InP/InGaAs HPT를 제작하였고 제작된 HPT의 전기적 특성을 분석하기 위해 확장된 Ebers-Moll 방정식을 이용하여 DC 모델파라미터들을 추출하였다. 또한 초고속 전자소자로서 사용되어지는 InP/InGaAs HBT를 제작하여 그 전기적 특성을 HPT와 비교하였다. 제작된 HPT의 에미터 접촉 저항(RE)값이 6.4Ω으로 HBT와 거의 동일함은 물론 HPT의 모든 DC 모델 파라미터들이 HBT 와 유사함을 알 수 있었다.

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