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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 268 - 272 (5page)
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A fully integrable InP/InGaAs HPT with an ITO emitter contact was first fabricated by employing a SiO2 passivation layer. The electrical and the optical characteristics of the HPT with a passivation layer were measured and compared with those of the HPT without a passivation layer. The only noticeable difference was the increased emitter series resistance of the HPT with a passivation layer. AES analysis was performed to explain the reason of the increased emitter series resistance. Results show that PECVD SiO2 deposition and annealing processes cause the diffusion of oxygen to the interface and the depletion of tin at the interface, which may be responsible for the increase of the series resistance.
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A. H. Khalid / 1996 / Fabrication and characterisation of transparent-gate field effect transistors using indium tin oxide / IEE Pro.-optoelectron 143 (1) : 7 ~
M. A. Matin / 1994 / Optically transparent indium- tin-oxide(ITO) ohmic contacts in the fabrication of vertical cavity surface-emitting lasers / Electron. Lett. 30 (5) : 318
P. Freeman / 1996 / Fabrication and spectral response analysis of AlGaAs/GaAs and InP/InGaAs HPTs with transparent ITO emitter contacts / IEE Pro.-optoelectron 143 (1) : 89 ~
S. A. Bashar / 1995 / Optically transparent ITO emitter contacts in the fabrication of InP/InGaAs HPT's / IEEE trans. on Microwave Thoery and Techniques 43 (9) : 2299 ~
강민수 / 2002 / ITO 에미터 투명전극을 갖는 InP/InGaAs HPT 제작 / 전기학회논문지 C권 51 (11) : 546 ~ 550
M. A. Matin / 1994 / Optically transparent indium- tin-oxide(ITO) ohmic contacts in the fabrication of vertical cavity surface-emitting lasers / Electron. Lett. 30 (5) : 318
P. Freeman / 1996 / Fabrication and spectral response analysis of AlGaAs/GaAs and InP/InGaAs HPTs with transparent ITO emitter contacts / IEE Pro.-optoelectron 143 (1) : 89 ~
S. A. Bashar / 1995 / Optically transparent ITO emitter contacts in the fabrication of InP/InGaAs HPT's / IEEE trans. on Microwave Thoery and Techniques 43 (9) : 2299 ~
강민수 / 2002 / ITO 에미터 투명전극을 갖는 InP/InGaAs HPT 제작 / 전기학회논문지 C권 51 (11) : 546 ~ 550
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