Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

I/f Noise in GaAs MESFETs Grown by Molecular Beam Epitaxy

송명호 ,  이헌호 ,  이윤상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .05

Li-doped p-type ZnS Grown by Molecular Beam Epitaxy

Sang-Tae Lee

Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)

2005 .05

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

Strained Growth Behavior in Selective Silicon Epitaxy

이정호 ,  이길호 ,  여인석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Zn(S, Se) EPITAXIAL LAYERS GROWN ON GaAs(100) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Leem ,  Jae-Young ,  Son 외 14명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이문기 ,  김봉열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Open-Tube에서 Zn확산을 이용한 GaAs에의 p+층 형성 ( Formation of p+ - Layer in GaAs Using the Open-Tube Diffusion of Zn )

심규환 ,  강진영 ,  민석기 외 2명

전자공학회논문지

1988 .08

고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구

양수미 ,  이만근

한국태양에너지학회 학술대회논문집

1999 .04

분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구

윤선진 ,  이승창 ,  박신종

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

저온 MBE 방법으로 성장한 undoped 및 Si-doped GaAs layer

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Strained Layer InGaAs / GaAs GRINSCH 양자우물 레이저 ( Strained Layer InGaAs / GaAs GRINSCH Quantum Well Laser )

황석원 ,  양계모 ,  서광석 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

Strained InGaAs / GaAs Multiple Quantum Well의 Line-Broadening Mechanism

오재응 ,  마원석 ,  김득녕 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

An Improved Calculation Model for Analysis of [111] InGaAs/GaAs Strained Piezoelectric Superlattices

Byoung-Whi Kim ,  Jae-Hoon Yoo ,  Soo Hyung Kim

[ETRI] ETRI Journal

1999 .08

OPTIMUM BUFFER STRUCTURE OF LOW-HIGH DOPED GaAs MESFET's GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Lee ,  Jae-Jin ,  Lee 외 9명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

분자선 박막성장법에 의한 고성능 GaAs MESFET ( High Performance GaAs MESFET Using Molecular Beam Epitaxy )

곽동화 ,  이희철

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Atomic Layer Epitaxy ( ALE ) 방법으로 제작된 ZnS : Mn 박막전계발광소자의 전기 , 광학적 특성 ( Electrical and Optical Characteristics of ZnS : Mn Thin-film Electroluminescent ( TFEL ) Devices grown by Atomic Layer Epitaxy )

이순석 ,  윤선진 ,  임성규

전자공학회논문지-D

1998 .02

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF ZINC OXIDE FILMS DEPOSITION BY ION BEAM ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY

Sung Jin Kim ,  Se-Young Choi

AFORE

2012 .11