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학술저널
저자정보
Leem, Jae-Young (Materials Evaluation Eneter, KRISS) Son, Jeong-Sik (Department of Physics, Yeongnam Univ.,) Bae, In-Ho (Department of Physics, Yeongnam Univ.,) Noh, Sam-Kyu (Materials Evaluation Eneter, KRISS) Shin, Eun-Joo (Materials Evaluation Eneter, KRISS) Kim, Dong-Ho (Materials Evaluation Eneter, KRISS) Park, Hae-Sung (Materials and Device Research Center, SAIT) Kim, Tae-Il (Materials and Device Research Center, SAIT)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제4호
발행연도
1995.1
수록면
1,077 - 1,081 (5page)

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ZnSe and ZnSSe epitiaxial layers were grown on GaAS(100) substrate under Se-rich conditions at a substrate temperature of $300^{\circ}C$ by molecular beam epitaxy. We have investigated the heterostructures of Zn(S, Se)/GaAs by Raman spectroscopy. In these layers, GaAs-LO, ZeSe-LO, ZnS-LO, ZmSe-TO, and phonon-plasmon coupled modes were observed. To investigate crystal quality with in-depth, a slope beveled structure was obtained from ZnSe/GaAs by mechanical angle lapping.

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