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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 대한전자공학회 워크샵 대한전자공학회 워크샵(Scaled Device/Process and High Performance Circults International Workshop)
- 발행연도
- 1996.1
- 수록면
- 141 - 144 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1996
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
오순영
,
남령진
,
조남인
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )
오순영
,
남형진
,
조남인
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
Si0.8Ge0.2 전도채널을 이용한 0.13mm p-MOSFET소자의 특성 연구 ( Characterization of Si0.8Ge0.2 0.13mm p-MOSFET Devices )
오순영
,
구경환
,
남형진
외 1명
대한전자공학회 워크샵
1996.01
학술대회자료
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δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )
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