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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.2
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 106 - 113 (8page)
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Electrical properties of Si?.??Ge?.₁₂(C) p-MOSFETs have been exploited in an effort to investigate Si?.??Ge?.₁₂(C) channel structures designed especially to suppress diffusion of dopants during epitaxial growth and subsequent fabrication processes. The incorporation of 0.1 percent of carbon in Si?.??Ge?.₁₂ channel layer could accomodate stress due to lattice mismatch and adjust bandgap energy slightly, but resulted in deteriorated current-voltage properties in a broad range of operation conditions with depressed gain, high subthreshold current level and many weak breakdown electric field in gateoxide. Si?.??Ge?.₁₂(C) channel structures with boron delta-doping represented increased conductance and feasible use of modulation doped device of Si?.??Ge?.₁₂(C) heterostructures.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
저자소개
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