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Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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As Te Ge Si 무정형 반도체의 온도영향
전기의세계
1974 .11
As-Te-Si-Ge 유리질 반도체의 전기전도에 관한 연구 ( A Study on Electrical Conduction of As-Te-Si-Ge Amorphous Semiconductor )
전자공학회지
1975 .04
As-Ge-Te계 박막의 스위칭 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .11
As Te Ge 무정형 반도체의 기억 및 스위칭소자
전기의세계
1973 .03
비정질 As-Ge-Te 스위칭 소자의 전기적 및 마이크로파 주파수 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .07
비정질 Ge1Se1Te2 과 Ge2Sb2Te5 칼코게나이드 박막의상변화특성
전기전자재료학회논문지
2006 .01
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
As-Te-Si-Ge 非晶質薄膜 스위칭 素子의 電極影響에 關한 研究
전기의세계
1976 .01
상변화 메모리 응용을 위한 Ge₁Se₁Te₂ 비정질 칼코게나이드 박막의 전도 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
칼코게나이드 다층박막의 상변화 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .07
Electrical Switching Characteristics of Ge1Se1Te2 Chalcogenide Thin Film for Phase Change Memory
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
비정질 As-Ge-Te 박막의 물리적 성질 및 스위칭 특성
전기학회논문지
1995 .07
Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2002 .01
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
비휘발성 상변화메모리소자에 응용을 위한 칼코게나이드 Ge₁Se₁Te₂ 박막의 특성
전기학회논문지 C
2006 .06
Phase transition charateristics of As-doped Ge₁Se₁Te₂ film
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .07
As을 첨가한 Ge₁Se₁Te₂ 박막의 상변화 특성연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .07
GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )
전자공학회논문지
1989 .11
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