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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 12 - 17 (6page)
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본 연구에서는 SixGe1-x 버퍼층 위에 성장된 strained-Si에 Ge 농도에 따라 n-MOSFET를 제작하고 소자 제작 후의 열처리 온도에 따른 소자의 아날로그 성능을 측정 분석하였다. 전자의 유효 이동도는 Ge 농도가 증가함에 따라 증가하였으나 32%로 높을 때에는 열처리 온도에 상관없이 오히려 감소하는 것으로 측정되었다. 상온에서 Ge 농도가 증가함에 따라 증가 소자의 아날로그 성능 지수가 우수하였으나 32% 농도에서는 오히려 좋지 않았다. 고온에서 strained-Si의 전자 유효이동도 저하가 Si보다 심하기 때문 SGOI 소자의 아날로그 성능 저하가 SOI 소자보다 심한 것을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 상온에서 SGOI MOSFET 아날로그 성능
Ⅳ. 고온에서 SGOI MOSFET 아날로그 성능
Ⅴ. 결론
참고문헌
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1. [학술지(정기간행물)] - T.A. Langdo / 2004 / Strained Si on insulator technology:from materials to devices / Solid-State electro-nics (48) : 1357 ~ 1367
2. [학술지(정기간행물)] - M.J. Lee / 2005 / Strained Si, SiGe, and Ge channel for high-mobility metal-oxide- semiconductor field-effect-transistors / Journal of Applied Physics 97 : 011101 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S.H. Olsen / 2005 / Study of strain relaxation in Si/SiGe metal-oxide-semiconductor field-effect transistors / Journal of Applied Physics 97 : 114504 ~
4. [학술지(정기간행물)] - G.K. Dalapati / 2006 / Impact of strained-Si thickness and Ge out-diffusion on gate oxide quality for strained-Si surface channel n-MOSFETs / IEEE Trans. on Electron Device 53 : 1142 ~ 1152
5. [학술지(정기간행물)] - M.A. Pavanello / 2008 / Analog performance of standard and strain triple gate silicon-on-insulator nFinFETs / Solid-State elec- tronics 52 : 1904 ~ 1909
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5. [학술지(정기간행물)] - M.A. Pavanello / 2008 / Analog performance of standard and strain triple gate silicon-on-insulator nFinFETs / Solid-State elec- tronics 52 : 1904 ~ 1909
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