N-Channel MOSFET에 대한 Subthreshold 영역에서의 전류특성 연구 ( A Study on the Currents of N-Channel MOSFET in Subthreshold Region )

이규홍 ,  김보우 ,  박신종

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MOSFET의 Subthreshold 전류에 관한 연구 ( A Study on the Subthreshold Currents of Short-Channel MOSFET )

정홍식 ,  김진헌

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

Subthreshold 영역에서의 Short Channel MOSFET의 전위 ( The Potential of Short Channel MOSFET in the Subthreshold Region )

안재경 ,  박영준 ,  민홍식

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage

Seung-Min Lee ,  Myung-Ok Lee

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

SOI MOSFET Back게이트전압에 따른 Subthreshold 특성의 특수현상 ( Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage )

이승민 ,  이명옥

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

SOI-MOSFET의 subthreshold 영역에서의 I-V 특성 ( I-V characteristics in subthreshold region of SOI-MOSFET )

고덕수 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Hydrodynamic model을 이용한 Submicron MOSFET의 Simulation ( Simulation of Submicron MOSFET Using Hydrodynamic Model )

김충원 ,  한백형 ,  김경석

전자공학회논문지-A

1993 .11

Pulse pileup correction method for gamma-ray spectroscopy in high radiation fi elds

이민주 ,  이대희 ,  박경진 외 5명

Nuclear Engineering and Technology

2020 .01

A New Analytical Model for Channel Thermal Noise of Deep-submicron RF MOSFETs

Jongwook Jeon ,  Yujo Yun ,  Y.W. Kim 외 1명

대한전자공학회 ISOCC

2006 .10

A New MOSFET Design Concept Using Recessed Channel Structure for Deep Submicron Application

Woo Hyeong Lee ,  Yeon Cheol Heo ,  Young June Pa 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

SOI-MOSFET의 subthreshold영역에서의 Ⅰ-Ⅴ특성

고덕수 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Modeling of Subthreshold Current for Submicron LDD MOS Transistor

Ley Mui Chua ,  Po Ching Liu

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1993 .01

Asymmetric Double-Gate MOSFET의 Subthreshold 특성 분석

이혜림 ,  신형순

전자공학회논문지-SD

2003 .06

Process Insensitive Current Biasing Technique Using MOSFET`s Subthreshold Current Characteristic

김보은 ,  최영식 ,  김수원

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET

Hakkee Jung ,  Jongin Lee ,  Dongsoo Cheong

INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING

2012 .06

Deep Submicron PMOSFET의 Scaling 방법 ( Scaling Methodology of Deep Submicron P-MOSFET )

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Deep submicron PMOSFET의 Scaling 방법

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

초박막 Soi Mosfet의 문턱전압과 Subthreshold Slope의 해석적 모델 ( Analytical Models of Threshold Voltage and Subthreshold Slope for Very-Thin-Film Soi Mosfet`s )

정은석 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프전압ΔV_on-off에 대한 분석

정학기

전기전자학회논문지

2019 .03

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .10