초박막 SOI MOSFET의 문턱전압과 Subthreshold slope의 해석적 모델

정은석 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

MOSFET의 Subthreshold 전류에 관한 연구 ( A Study on the Subthreshold Currents of Short-Channel MOSFET )

정홍식 ,  김진헌

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

얇은 박막 SoI n-MOSFET의 문턱 전압에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage of Thin Film SOI Device )

최도영 ,  진경식 ,  주정규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

N-Channel MOSFET에 대한 Subthreshold 영역에서의 전류특성 연구 ( A Study on the Currents of N-Channel MOSFET in Subthreshold Region )

이규홍 ,  김보우 ,  박신종

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

개선된 반송자 농도의 적분법을 이용한 MOSFET의 문턱전압 및 subthreshold swing 추출 ( The extraction of the threshold voltage and the subthreshold swing of MOSFETs using the improved integration method of carrier concentrations )

김태한 ,  박산하 ,  김철성

전자공학회논문지-A

1996 .08

Subthreshold 영역에서의 Short Channel MOSFET의 전위 ( The Potential of Short Channel MOSFET in the Subthreshold Region )

안재경 ,  박영준 ,  민홍식

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET`s

최진혁 ,  박영준 ,  민홍식

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET’s

Jin Hyeok Choi ,  Young June Pa ,  k 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

SOI-MOSFET의 subthreshold 영역에서의 I-V 특성 ( I-V characteristics in subthreshold region of SOI-MOSFET )

고덕수 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage

Seung-Min Lee ,  Myung-Ok Lee

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

SOI MOSFET Back게이트전압에 따른 Subthreshold 특성의 특수현상 ( Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage )

이승민 ,  이명옥

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )

김효식 ,  진주현 ,  경종민

전자공학회지

1985 .11

채널 폭에 따른 MOSFET 문턱전압 및 전류 변동성에 관한 시뮬레이션 분석

정인영 ,  박찬형

전자공학회논문지

2018 .06

DC 스트레스에 의해 노쇠화된 LDD MOSFET에서 문턱전압과 Subthreshold 전류곡선의 변화 ( The Shift of Threshold Voltage and Subthreshold Current Curve in LDD MOSFET Degraded Under Different DC Stress-Biases )

이명복 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지

1989 .05

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .10

짧은 채널길이를 갖는 고내압 Power SoI MoSFET의 항복전압에 관한 연구 ( A Study on the Breakdown Voltage of High of High Voltage Power SoI MOSFET Having Short Channel Length )

정성호 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .07

A New Method for Extracting Interface Trap Density in Short-Channel MOSFETs from Substrate-Bias-Dependent Subthreshold Slopes

Jong-Son Lyu

[ETRI] ETRI Journal

1993 .04

SOI-MOSFET의 subthreshold영역에서의 Ⅰ-Ⅴ특성

고덕수 ,  김현철 ,  김철성

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

나노채널 MOSFET의 문턱전압분석

정정수 ,  김재홍 ,  고석웅 외 2명

한국정보통신학회논문지

2002 .02

더블게이트 MOSFET의 서부문턱스윙에 대한 연구

정학기 ,  Sima Dimit ,  ijev

한국정보통신학회논문지

2005 .07