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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

김미송 (인하대학교, 인하대학교 대학원)

지도교수
김목순
발행연도
2015
저작권
인하대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수10

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이 논문의 연구 히스토리 (8)

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본 연구에서는 Ni, Zn 박막이 증착된 UBM(Under Bump Metallurgies)에 미세 피치 Cu pillar/Sn-3.5Ag 범프를 사용했을 때 각종 계면의 금속간화합물의 성장 거동을 분석하였다. 본딩 후 Cu와 Cu/Zn 샘플의 접합부에서 Cu6Sn5의 금속간화합물이 Scallop 형상으로 형성된 반면, Cu/Ni 샘플의 접합부에서는 (Cu,Ni)6Sn5의 금속간화합물이 형성되었다. 시효를 진행함에 따라 Cu6Sn5이 Cu3Sn로 상전이 되었고, Cu/Cu3Sn의 계면에 kirkendall void가 형성되었다. Cu/Ni 샘플의 Cu3Sn의 두께는 Cu와 Cu/Zn 샘플보다 작았다. 게다가, Cu/Ni 샘플의 낮은 Cu3Sn 성장속도 때문에 void의 면적 비율도 Cu와 Cu/Zn 샘플보다 낮았다. 전단강도는 Cu/Ni 샘플이 Cu와 Cu/Zn 샘플보다 높게 나타났다. 또한, 시효처리 시간이 증가할수록 Cu와 Cu/Zn 샘플 접합부의 파단 경로는 Cu6Sn5 지역에서 Cu/Cu3Sn 계면으로 이동했다.
또한, DFPR(Dry Film Photoresist)의 마스크 hole에 솔더를 인쇄하여 180, 80 ㎛ 피치의 Cu pillar/Sn3.0Ag0.5Cu (SAC305) 범프를 형성하였다. 비교를 위해, 전해도금으로 Cu pillar/Sn-3.5Ag 범프를 형성하였다. 플립칩 본딩 후 Cu pillar/SAC305 접합부에 Cu6Sn5와 작은 Ag3Sn의 금속간화합물이 형성되었고 Cu와 Cu6Sn5 계면에서 void가 발견되었다. Cu pillar/Sn-3.5Ag 범프의 접합부에서는 Cu6Sn5와 큰 Ag3Sn 금속간화합물이 관찰되었고, void 또한 Cu와 Cu6Sn5 계면에서 발견되었다. void의 수는 Cu pillar/SAC305 범프 접합부가 Cu pillar/Sn-3.5Ag 범프 접합부보다 적었다. 따라서 낮은 void 수로 인해 Cu pillar/SAC305 범프가 Cu pillar/Sn-3.5Ag 범프보다 신뢰성이 우수할 것으로 예상되었다. 이처럼 DFPR 마스크 인쇄는 미세 피치의 Cu pillar와 접합부의 신뢰성을 향상시키는 3원계 이상의 솔더 범프를 채택할 수 있다.

목차

제1장 서론 1
제2장 이론적 배경 6
2.1. 플립칩 기술 6
2.2. Cu pillar 범프 구조에서 금속간화합물의 성장거동 10
2.3. 첨가원소에 따른 금속간화합물의 변화 11
제3장 실험방법 21
3.1. 시편의 준비 21
3.2. 플립칩 본딩 25
3.3. Cu pillar/Sn-Ag 범프의 접합부 신뢰성 평가 25
3.4. Cu pillar/SAC305 범프 접합부의 단면 분석 26
제4장 결과 및 고찰 44
4.1. 범프의 형성 44
4.2. Cu pillar/Sn-Ag 범프 접합부의 신뢰성 평가 49
4.3. Cu pillar/SAC305 범프 접합부의 미세조직 관찰 59
제5장 결론 63
참고문헌 65

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