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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 권기청
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 광운대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2013
새로운 대기압 플라즈마 제트를 이용한 태양전지용 고농도 선택적 도핑에 관한 연구
조이현
,
윤명수
,
손찬희
외 9명
Applied Science and Convergence Technology
2013.09
학술저널
새로운 대기압 플라즈마 소스를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 인(P) 페이스트 도핑에 관한 연구
조이현
,
윤명수
,
조태훈
외 6명
신·재생에너지
2013.06
학술저널
새로운 대기압 플라즈마 소스를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 인산 도핑 가능성에 관한 연구
조이현
,
윤명수
,
조태훈
외 1명
조명·전기설비학회논문지
2013.06
학술저널
새로운 대기압 플라즈마 소스를 이용한 태양전지용 고농도 선택적 도핑에 관한 연구
조이현
,
윤명수
,
손찬희
외 10명
한국진공학회 학술발표회초록집
2013.02
학술대회자료
새로운 대기압 플라즈마 소스를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 도핑 가능성에 관한 연구
조이현
전자물리학과
2013.01
학위논문
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가까운 미래에 화석에너지의 고갈과 화력 발전 생산단가의 증가, 원자력발전의 위험성으로 대체에너지 수요가 늘어날 것은 자명하다. 대체에너지 중 태양광 에너지는 인류가 당면한 에너지 고갈과 환경오염이라는 과제의 가장 확실한 해결책이며, 성장은 계속될 수밖에 없다.
대부분의 태양전지 도핑 공정은 퍼니스(Furnace)가 주요공정으로 사용되고 있다. 퍼니스 도핑 공정은 POCl3 가스를 도펀트로 사용하여 확산 공정을 진행한다. 퍼니스 도핑공정은 고가의 장비와 유독 가스 사용으로 인한 정화 문제, 웨이퍼의 국부적인 부분에 고농도 도핑을 하는데는 제한적이다. 본 연구는 기존 도핑공정의 문제점을 보완한 저가이면서 새로운 구조의 대기압 플라즈마 소스를 개발하였고, 이를 통한 도펀트(Dopant)는 인산(H3P04)과 PSG(Phosphorus Silicate Glass), 인(P) 페이스트를 사용하여 플라즈마 도핑에 관한 연구를 하였다. 원통형 금속관에 아르곤(Ar) 가스를 주입하고, 5 kV의 저주파(수십 kHz) 인버터형 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 구조로 제작하였다. 웨이퍼는 태양전지용 P-type 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, 도핑 프로파일은 이차 이온 질량분석법(SIMS: Secondary Ion Mass Spectroscopy)을 이용하여 분석하였다. 일반적으로 적용되는 식을 통하여 면저항(Sheet resistance)을 계산하였고, 대기 중의 불순물 도핑 여부를 확인하기 위해 퍼니스와 플라즈마 도핑 후 웨이퍼의 산소와 질소농도를 비교 분석하였다.
대기압 플라즈마 처리시간이 길어지고, 전류가 커짐에 따라서 도핑깊이가 깊어지고 면저항이 향상됨을 확인 하였다. 대기압 플라즈마 도핑 전과 후 웨이퍼의 표면변화가 없음을 확인하였고, 플라즈마 처리시간이 길어지고 전류가 커짐에 따라서 도핑 폭이 커짐을 확인하였다.
대부분의 태양전지 도핑 공정은 퍼니스(Furnace)가 주요공정으로 사용되고 있다. 퍼니스 도핑 공정은 POCl3 가스를 도펀트로 사용하여 확산 공정을 진행한다. 퍼니스 도핑공정은 고가의 장비와 유독 가스 사용으로 인한 정화 문제, 웨이퍼의 국부적인 부분에 고농도 도핑을 하는데는 제한적이다. 본 연구는 기존 도핑공정의 문제점을 보완한 저가이면서 새로운 구조의 대기압 플라즈마 소스를 개발하였고, 이를 통한 도펀트(Dopant)는 인산(H3P04)과 PSG(Phosphorus Silicate Glass), 인(P) 페이스트를 사용하여 플라즈마 도핑에 관한 연구를 하였다. 원통형 금속관에 아르곤(Ar) 가스를 주입하고, 5 kV의 저주파(수십 kHz) 인버터형 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 구조로 제작하였다. 웨이퍼는 태양전지용 P-type 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, 도핑 프로파일은 이차 이온 질량분석법(SIMS: Secondary Ion Mass Spectroscopy)을 이용하여 분석하였다. 일반적으로 적용되는 식을 통하여 면저항(Sheet resistance)을 계산하였고, 대기 중의 불순물 도핑 여부를 확인하기 위해 퍼니스와 플라즈마 도핑 후 웨이퍼의 산소와 질소농도를 비교 분석하였다.
대기압 플라즈마 처리시간이 길어지고, 전류가 커짐에 따라서 도핑깊이가 깊어지고 면저항이 향상됨을 확인 하였다. 대기압 플라즈마 도핑 전과 후 웨이퍼의 표면변화가 없음을 확인하였고, 플라즈마 처리시간이 길어지고 전류가 커짐에 따라서 도핑 폭이 커짐을 확인하였다.
목차
제 1 장 서 론 1제 2 장 관련이론 32.1. 태양전지 및 플라즈마 기본이론 32.1.1 빛 흡수 및 전하생성작용 32.1.2 광생성 전하 분리 52.2.3 광생성 전하수집으로 광전변환 72.2.4 태양전지 제작과정 82.2.5. 선택적 에미터 태양전지 102.2.6. 플라즈마 기본이론 122.2.7. 기체절연파괴-타운젠트 실험과 이론 132.2.8. 플라즈마 생성방법 15제 3 장 실 험 173.1 연구 필요성 및 실험목적 183.2 실험방법 21제 4 장 실험 결과 224.1 대기압 플라즈마 인산 도핑 실험 254.2 대기압 플라즈마 PSG 도핑 실험 304.3 대기압 플라즈마 페이스트 도핑 실험 33제 5 장 결 론 35참고문헌 37
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