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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.3
- 수록면
- 477 - 483 (7page)
- DOI
- 10.5370/KIEE.2025.74.3.477
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The SiO₂ films are widely used as sidewall spacers and insulating liners in microelectronic devices. One of the main challenges in depositing thin SiO₂ films is precisely tuning their mechanical, optical, and electrical properties. Additionally, the films must be deposited in high aspect ratio structures for various applications. The properties of these films are determined by active species such as ions and radicals, as well as clusters formed by collisions between electrons and gaseous under certain conditions. To enhance the efficiency of thin film deposition and improve process control, we investigated plasma properties at different gas mixture ratios and pressures through two-dimensional fluid simulations of capacitively coupled Ar/O₂ discharges. This study confirmed that as the mole fraction of O₂ increases, the density of O₂<sup>+</sup> and O<sup>+</sup> increases, which in turn increases the recombination reaction with O-. This provided insight into the behavior of each ion and radical.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References
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