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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.9
- 수록면
- 360 - 364 (5page)
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Npn heterostructures with GaN collectors were fabricated using nanomembrane (NM) stacking. N- and p-Si NMs were transfer-printed onto the n-GaN substrates, resulting in the formation of vertical n-Si/p-Si/n-GaN heterostructures. Electrical measurements of Si/Si and Si/GaN pn heterostructures exhibited rectifying properties, indicating that the formation of bipolar junctions was feasible through NM stacking. The energy band diagram of stacking-enabled npn heterostructure was analyzed to explain the rectifying behaviors of base-emitter and collector-base junctions, as well as to suggest potential applications for bipolar junction transistors with a GaN subcollector.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Results and discussion
III. Conclusion
References
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