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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
- DOI
- http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.1.1
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본 연구는 Si 기판 위에 GaN 성장을 위한 새로운 버퍼층으로 탄화텅스텐(WC)을 제안하였다. 우선 우리는 WC를 Si 기판상에 성막하기 위한 스퍼터링 조건을 조사하고 최적화 하였다. 우리는 성막된 WC를 이용하여 Si melt-back 현상의 억제 여부를 확인하였다. 또한 GaN 성장을 위한 버퍼층으로서의 가능성을 확인하기 위하여 표면에너지를 측정한 결과 사파이어 기판 (γ=82.71 mJ/cm2)과 유사한 표면에너지를 (γ=82.46 mJ/cm2) 갖고 있음을 확인하였으며, 저온버퍼를 이용한 질화물 결정성장에 이용 가능함을 알 수 있었다. 실제로 gas-source MBE와 GaN 저온 버퍼를 사용한 결정성장법을 이용하여 단결정 GaN 박막 성장이 가능한 것을 확인 할 수 있었다.
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M. Wright / Bridgelux hits 160 lm/W in lab with LEDs produced using GaN on silicon
H. Ishikawa / 1998 / J. Cryst. Growth 189:172
S. Alexey / 2013 / Tungsten Carbides: Structure, Properties and Application in Hardmetals / Springer Science & Business Media :1~25
Kendra A. Beadle / 2008 / Chemical vapor deposition of phase-rich WC thin films on silicon and carbon substrates / Thin Solid Films 516(12):3847~3854
L.C. Agudelo-Morimitsu / 2013 / Substrate heating and post-annealing effect on tungsten/tungsten carbide bilayers grown by non-reactive DC magnetron sputtering / Ceramics International 39(7):7355~7365
H. Ishikawa / 1998 / J. Cryst. Growth 189:172
S. Alexey / 2013 / Tungsten Carbides: Structure, Properties and Application in Hardmetals / Springer Science & Business Media :1~25
Kendra A. Beadle / 2008 / Chemical vapor deposition of phase-rich WC thin films on silicon and carbon substrates / Thin Solid Films 516(12):3847~3854
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