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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials Vol.25 No.4
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 512 - 518 (7page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-024-00553-0
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In this work, we fabricate and characterize ultraviolet (UV) sensors on Ga-polar and N-polar GaN structures. Heterostructure of the Ga-polar GaN structure is grown on a sapphire substrate by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Moreover, the N-polar GaN structure is prepared by using epitaxial lateral overgrowth (ELOG) and separating from the sapphire by laser lift-off (LLO). The leakage current of the Ga-polar GaN structure is six orders lower compared to that of N-polar GaN before annealing thanks to the lower dislocation density of the Ga-polar GaN structure. The UVvisible extinction ratio is almost 10 2 in the N-polar GaN structure, and 10 4 in the Ga-polar GaN structure. In addition, the UV-visible extinction ratio of the Ga-polar GaN structure is greatly improved after thermal treatments at 500 oC and 800 oC. It exhibits a UV-A band-pass-like feature in the UV-visible extinction ratio of the Ga-polar GaN structure.
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