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Free-standing GaN 웨이퍼의 bowing과 변형을 줄이기 위하여 Ga-polar 면을 기계적 연마를 하고, 그 영향을 연구하였다. 그 결과, diamond slurry 입자 크기가 커지면서 free-standing GaN 기판의 bowing은 감소하고, 최종적으로 bowing의 방향이 오목한 형태에서 볼록한 형태로 바뀌었다. 고분해능 X-선 회절 반치폭은 감소하였으며, 특히 1.0 µm의 diamond slurry를 사용하여 연마한 샘플의 (1 0 2) 면의 반치폭이 630 에서 203 arcsec로 상당히 감소하였다. 이 경우, Ga-polar 면의 압축 변형이 거의 완화되는 것을 Raman 측정으로 확인하였다.

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