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학술대회자료
저자정보
박민선 (국립강릉원주대학교) 정항욱 (국립강릉원주대학교) 권민우 (서울과학기술대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2024.11
수록면
209 - 213 (5page)

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In this study, we introduce an in-memory computing device utilizing a FBFET (Feedback Field Effect Transistor) structured based on NAND flash array. The device integrates the SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) with a FBFET PNPN-doped body in a string structure. This in-memory computing FBFET demonstrates the ability to execute Boolean logic operations by leveraging the threshold voltage modulation that occurs when varying the control gate voltage. Furthermore, we identify optimal hot carrier injection conditions that allow for the reliable writing of Boolean logic results, including OR, AND, NOR, NAND operations. Our research offers a novel approach to in-memory computing technology.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 구현
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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