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송동영 (부산대학교) 송현우 (부산대학교) 이인호 (부산대학교) 피정석 (부산대학교) 최지훈 (부산대학교) 차단영 (부산대학교) 이성식 (부산대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
698 - 701 (4page)

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We present a study on a weight-update characteristics which is dependent on a Hf doping concentration in a Hf-doped ZnO (Hf-ZnO) channel layer of synaptic thin-film transistors (Syn-TFTs). Here, when Hf doping concentration is increased, it is known that the disorders (e.g. dangling bond) in Hf-ZnO channel layer are suppressed due to an addition of Hf cation. This can be expected that an electron mobility is improved while reducing sub-threshold slope (SS) because of the decreased parasitic capacitance. With the decreased SS, it can be expected that a weightupdate characteristics (e.g. a dynamic ratio, dr<SUB>w</SUB>) is also more improved due to a relatively high sensitivity. To check these, static and pulsed characteristics are monitored with two cases of the fabricated Syn-TFTs, based on a high doped Hf-ZnO (Hf-ZnO(H)) and low doped Hf-ZnO (Hf-
ZnO(L)).

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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