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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.2
- 수록면
- 457 - 466 (10page)
- DOI
- 10.1007/s12540-022-01224-6
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Die attachment by pressure (2 MPa)-assisted sinter bonding in air at 300 °C was rapidly achieved using bimodal-sized(1.86 μm and 340 nm) Cu particles, yielding a joint sustainable even at high temperature for wide-band-gap semiconductorbasedpower devices. Adding carboxylic acid (succinic acid and ascorbic acid) to a used reducing solvent enhanced in situreducibility during the bonding, which considerably shortened the bonding time required for achieving shear strengthsexceeding 15 MPa. The dies bonded for 1 min exhibited shear strengths of 16.0–17.5 MPa, while 5-min-long bondingyielded a nearly full dense bondline structure. The addition of these carboxylic acids delayed the oxidation of Cu particlesand reduced the intrinsic oxide layers on the Cu particles more effectively to rapidly form the dense bondline and increasethe joint strength.
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