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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Hien Van Pham (Korea Institute of Materials Science) Duyoung Kwon (Korea Institute of Materials Science) Juseok Kim (Korea Institute of Materials Science) Sungmo Moon (Korea Institute of Materials Science)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제56권 제3호
발행연도
2023.6
수록면
169 - 179 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (11)

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This work studies dielectric breakdown behavior of AAO (anodic aluminum oxide) films formed on pure aluminum at a constant current density in 5 ~ 20 vol.% sulfuric acid (SA) and 2 ~ 8 wt.% oxalic acid (OA) solutions. It was observed that dielectric breakdown voltage of AAO film with the same thickness increased with increasing concentration of both SA and OA solutions up to 15 vol.% and 6 wt.%, respectively, above which it decreased slightly. The dielectric breakdown resistance of the OA films appeared to be superior to that of SA films. After dielectric breakdown test, cracks and a hole were observed. The crack length increased with increasing SA film thickness but it did not increase with increasing OA film thickness. To explain the reason why shorter cracks formed on the OA films than the SA films after dielectric breakdown test, the generation of tensile stresses at the oxide/metal interface was discussed in relation to porosity of AAO films obtained from cross-sectional morphologies.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and discussion
4. Conclusions
References

참고문헌 (24)

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