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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제24권 제3호
- 발행연도
- 2023.6
- 수록면
- 228 - 234 (7page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-023-00438-8
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The increasing demand for faster and energy efficient electronics has forced the researchers to develop more power and performance efficient integrated circuits. For this purpose, the overall size of the transistor needs to be scaled down to its very limit. Transistor scaling and performance are not only limited to overall transistor design but also to the material of the channel that is being used. In order to make a performance efficient transistor, not only is a new transistor design needed but replacement of conventional channel material i.e., silicon needs to be done. In this work, a 2-D Numerical simulation model of nanowire FET with GAA technology was carried out at 22 nm gate length using an open-source nanoscale simulation tool MUGFET. Then a study of the performance parameters of this NW-GAAFET with Silicon and Group III-V compound semiconductor channel materials and High-k gate oxides has been performed. The electrical performance parameters, drain induced barrier lowering (DIBL), subthreshold swing (SS), and on/off current ratio (Ion/Ioff) are extracted and validated through comparative analysis with previous high performance GAA nanowire FETs.
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