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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.5
- 수록면
- 555 - 560 (6page)
이용수
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본 논문에서 850nm∼1000nm 파장대역에서 레이저를 검출하기 위한 고감도 실리콘 포토다이오드를 제조하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 소자의 크기는 5000㎛ × 2000㎛이며 두께는 280㎛로 제조하여 TO-5형태로 패키징 하였다. 전기적 특성으로 암전류는 5V 역 전압 일 때 0.1nA의 값을 나타내었으며 정전용량은0V일 때 1kHz 주파수 대역에서 32.5pF와 200kHz 주파수 대역에서 32.4pF로 적은 정전용량의 값을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10V의 전압일 때 20.92ns로 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성으로는890nm에서 최대 0.57A/W의 분광감응도를 나타내었고 1000nm에서는 0.37A/W로 감소한 분광감응도를 나타내고 있지만 870nm∼920nm 파장대역에서는 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다.
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참고문헌 (8)
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P. S. Menon / 2013 / Optimization of Process Parameters for Si Lateral PIN Photodiode / J. of World Applied Sciences 8(1):98~103
S. M. Sze / 2007 / Physics of Semiconductor Devices / Wiley
이붕주 / 2013 / 플라즈마 표면처리에 따른 유기트랜지스터 특성 / 한국전자통신학회 논문지 8(6):797~804
이붕주 / 2010 / CVD로 제작된 SiO2 산화막의 투습특성 / 한국전자통신학회 논문지 5(1):81~87
C. Z. Zhou / 1996 / Noise analysis of low noise, high count rate, PIN diode X-ray detectors / IEEE Trans. Nuclear Science 43(3):1385~1390
S. M. Sze / 2007 / Physics of Semiconductor Devices / Wiley
이붕주 / 2013 / 플라즈마 표면처리에 따른 유기트랜지스터 특성 / 한국전자통신학회 논문지 8(6):797~804
이붕주 / 2010 / CVD로 제작된 SiO2 산화막의 투습특성 / 한국전자통신학회 논문지 5(1):81~87
C. Z. Zhou / 1996 / Noise analysis of low noise, high count rate, PIN diode X-ray detectors / IEEE Trans. Nuclear Science 43(3):1385~1390
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