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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.6
- 수록면
- 797 - 804 (8page)
- DOI
- http://dx.doi.org/10.13067/JKIECS.2013.8.6.797
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본 논문에서는 플라즈마 중합법에 의해 유기절연막을 제작 후 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 특성향상을 위해 반도체박막의 표면처리를 하였다. 그 결과 반도체층의 O2 플라즈마을 활용하여 30[sec]동안 표면처리시 박막의 표면에너지는 38mJ/m2값에서 72mJ/m2값으로 증가되었으며, 이에 따른 유기트랜지스터의 이동도는 평균값 기준하여 29% 증가된 0.057cm2V-1s-1의 값으로 증가된 값을 얻을 수 있었다. 이로부터 반도체박막 표면개질에 의한 유기트랜지스터의 이동도 특성향상이 가능함을 알았다.
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참고문헌 (11)
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Pavan, P. / 1997 / Flash memory cells an overview / Proceedings of the IEEE 85(8):1248~1271
Hanafi, H.I / 1996 / Fast and long retention-time nano-crystal memory / Electron devices 43(9):1553~1558
H. Y. Choi / 2004 / Self- Organized Organic Thin-Film Transistors on Plastic / Advanced materials 16:732~736
C. Zhang / 2004 / Carbon dioxide sorption in conventional and plasma polymerized methyl methacrylate thin films / Polymer 45:7665~7671
S. Morita / 1980 / Plasma polymerized methyl-methacrylate as an electron-beam resist / J. Appl. Phys 51:3938~3941
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