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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김용갑
- 발행연도
- 2014
- 저작권
- 원광대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수13
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PIN 포토다이오드는 동작 파장대역에서 고감도, 빠른 응답 속도, 낮은 노이즈를 갖기 때문에 광 애플리케이션에 가장 많이 사용되는 검출기이다. 광검출기인 포토다이오드는 빛의 신호를 전기신호로 변환하는 소자로써 입사 광량에 의해 출력되는 전류를 의미하는 분광감응도(Spectral Responsivity, A/W)가 중요한 요소이다. 본 논문에서는 근적외선 파장대역 850nm~1050nm에서 레이저를 검출하기 위해 포토다이오드의 분광감응도를 향상시키고자 실리콘 기반 고감도 PIN 다이오드 소자를 제작하고 TO-5형과 TO-18형에 패키징하여 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. TO-5형과 TO-18형에 패키징된 실리콘 PIN 다이오드 소자는 동일한 공정순서이나 소자의 크기 및 활성영역의 구조를 각각 달리 설계하여 제작하였다. TO-5형은 하나의 활성영역으로 5000㎛ ? 2000㎛ 크기로 설계되어졌고, TO-18형은 두 개의 cell로 나누어진 형태로 한 cell당 1300㎛ ? 1400㎛ 크기이다. 제작된 소자의 전기적 특성으로 암전류, 정전용량, 상승시간을 분석한 결과 우수한 전기적 특성임을 보일 뿐 아니라920nm 대역에서 비교적 높은 분광감응도를 보이는 등 매우 우수한 광학적 특성이 나타남을 보인다.
목차
제 1 장 서 론 1제 1 절 연구배경 및 필요성 1제 2 절 포토다이오드의 국내?외 연구 동향 31. 국내 연구 동향 32. 국외 연구 동향 4제 3 절 연구목적 및 범위 5제 2 장 관계 이론 6제 1 절 포토다이오드의 원리 및 특성 6제 2 절 실리콘 재료의 특성 11제 3 절 감응도 13제 4 절 웨이퍼 제조 공정 14제 3 장 실리콘 PIN 포토다이오드 제작 19제 1 절 PIN 다이오드 설계 및 제작 19제 2 절 TO 패키지 설계 및 제작 23제 4 장 실험결과 및 고찰 28제 1 절 실험 방법 28제 2 절 전기적 특성 분석 34제 3 절 광학적 특성 분석 42제 5 장 결론 44참 고 문 헌 45
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