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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제17권 제7호
- 발행연도
- 2016.7
- 수록면
- 717 - 721 (5page)
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(Zr,Ti)0.85(Ca,Sr)0.15O1.85 (ZTCS) films grown on Cu electrode at room temperature showed a crystalline cubic stabilized ZrO2structure when large sputtering powers (≥ 75 W) were used. The smoothest film, grown at sputtering power of 75 W, showedthe lowest leakage current (4.0 × 10?6A/cm2at 0.75 MV/cm) and highest breakdown voltage (2.7 MV/cm) among all the filmsprepared, indicating that surface roughness considerably influences the electrical properties of the ZTCS film. A dielectricconstant (k) of 21.5 and a tan δ of 0.007 were obtained at 100 kHz, and a similar k of 19.4 with a high quality factor of 52at 2.0 GHz. Moreover, a high capacitance density (78 nF/cm2) and a small TCC (256 ppm/oC at 100 kHz) were obtained. Sucha ZTCS film therefore satisfies the requirements of the International Technology Roadmap for Semiconductors for capacitorsgrown on organic substrates for 2016.
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