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자료유형
학술저널
저자정보
윤영준 (한국원자력연구원) 이재상 (한국원자력연구원) 김유종 (한국원자력연구원) 석오균 (금오공과대학교) 이정희 (경북대학교) 김동석 (한국원자력연구원)
저널정보
한국방사선산업학회 방사선산업학회지 방사선산업학회지 제15권 제4호
발행연도
2021.12
수록면
275 - 281 (7page)
DOI
10.23042/radin.2021.15.4.275

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

질화갈륨 기반 전자소자의 고에너지 양성자 조사 영향평가를 위한 전산모사 모델링 연구
윤영준 ,  이재상 ,  김유종 외 3명 방사선산업학회지 2021.12 학술저널
표면처리 공정을 적용한 질화갈륨 전자소자의 양성자 조사 이후 펄스 전류 특성
윤영준 ,  이재상 ,  석재권 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2021.06 학술대회자료

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Gallium Nitride (GaN)-based electronics have been studied as high-frequencyelectronics for space applications because of a two-dimensional electron gas (2DEG) with highcarrier density and mobility as well as a strong resistance for radiation. The understanding ofthe space radiation effects on electronics is important to employ GaN-based devices as spaceelectronics because the space radiation, including protons, electrons, and heavy ions, degeneratecurrent characteristics of GaN electronics. In this work, we studied simulation modeling for theproton irradiation effect in GaN devices by using technology computer aided design (TCAD)simulator. Point defects, including Ga and N vacancies created by the radiation damage, wereapplied in the barrier, channel, and buffer regions to consider the displacement damage. Parameters for contact resistance and schottky tunneling were also optimized to reflect the protonirradiation damage. The simulation results for drain current characteristics before and after theproton irradiation were evaluated by comparing with experiment results. The simulation resultsshowed a similar tendency to the experimental results and reflected the phenomenon in GaNdevice after the proton irradiation well. The modeling results can contribute to predict spaceradiation effects in GaN electronics.
#GaN #HEMT #Proton irradiation #Simulation modeling #Displacement damage

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