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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제18권 제1호
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 41 - 44 (4page)
- DOI
- http://dx.doi.org/
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Zinc oxide (ZnO) channel layer transistors in inverted staggered type were fabricated by magnetron sputtering at differenttemperatures. The deposition condition of ZnO thin films were analyzed by a field-emission scanning electron microscope andX-ray diffraction measurement and the surface morphology of films were improved by the optimized sputtering parameters.
The electrical characteristics of device showed the presence of self-heating effect. The self-heating effect was more pronouncedby lowering the temperature due to the creation of more defects in the channel material. It act as traps for charge carrier anddegrade the drain current of device which in turn alters the overall device parameters. Current-Voltage characteristics weremeasured and relevant transistor parameters were calculated and tabulated. The self-heating effect at different temperatureswas compared.
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