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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제6호
- 발행연도
- 2018.12
- 수록면
- 456 - 461 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-018-0070-4
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Graphene nanoribbions (GNRs) are potentially stable and have attractive properties to act as VLSI interconnect material.
The circuit level modeling of multilayer graphene nanoribbon (MLGNR) is carried out in this paper. It is observed that theresistance of MLGNR rises with the increase in interconnects length from 500 to 2000 μm for 32, 22 and 16 nm technologynodes. The performance of MLGNR is estimated and compared for three diff erent technology nodes in terms of delayand power delay product (PDP). To perform the comparison, a similar analysis is also performed for conventional copperinterconnect. It is revealed from the results that the performance in terms of delay and PDP of MLGNR is much better thancopper for longer interconnect lengths at 32, 22 and 16 nm technology nodes. Therefore, it is proposed that MLGNR has apotential to becomes a suitable alternative to replace copper as an interconnect material for low power and high speed VLSIindustry for nano scaled technology nodes.
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